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大馬士革鑲嵌

　　鑲嵌(damascene)一詞，衍生自古代的Damascus（大馬士革）工匠之嵌刻技術，故亦稱為大馬士革鑲嵌技術。傳統的積體電路之多層金屬聯結(multilevel interconnection)是以金屬層的乾蝕刻方式來製作金屬導線，然後進行介電層的填充(dielectric gap fill)。而鑲嵌技術則是先在介電層上蝕刻金屬導線用的圖膜，然後再填充金屬。鑲嵌技術最主要的特點是不需要進行金屬層的蝕刻。當金屬導線的材料由鋁轉換成電阻率更低的銅的時候，由於銅的乾蝕刻較為困難，因此鑲嵌技術對銅製程來說便極為重要。

鑲嵌結構一般常見兩種：單鑲嵌結構(single damascene)以及雙鑲嵌結構(dual damascene)。

1.單鑲嵌結構如前所述，僅是把單層金屬導線的製作方式由傳統的（金屬層蝕刻+介電層填充）方式改為鑲嵌方式（介電層蝕刻+金屬填充），較為單純。

而雙鑲嵌結構則是將孔洞(hole)及金屬導線結合一起都用鑲嵌的方式來做。如此只需一道金屬填充的步驟，可簡化製程，不過製程也較為複雜與困難。一般完整的雙鑲嵌製程為，先沉積介電層並以干蝕刻完成雙鑲嵌結構之圖型后，接著需沉積一層擴散阻障層(diffusion barrier)，鋁製程一般是TiN，銅製程則為TaN。然後進行金屬沉積，鋁製程一般為PVD，銅製程則可能為PVD、CVD，或電鍍。最後，再進行CMP（化學機械研磨）即告完成。

2.雙鑲嵌結構若依乾蝕刻方式的不同來分類的話，目前大致上可分為Trench First、Via first及Self-Aligned等三種。