私心覺得統聯客運應該學學國光假期方便大家去鹽水衝蜂炮
所以我就自己試圖掰一篇
| 產品名 | 產地 |
| 帝康日拋非球面軟性隱形眼鏡 | 台灣 |
| 精華帝康日拋非球面軟性隱形眼鏡 | 台灣 |
| 睛靚抗UV日拋軟式隱形眼鏡 | 台灣 |
| 愛能視日拋隱形眼鏡 | 台灣? |
| 海昌非球面日拋隱形眼鏡 | 台灣 |
| 美麗秘密®矽水膠日拋隱形眼鏡 | 馬來西亞/台灣 |
| 海昌抗UV日拋隱形眼鏡 | 台灣 |
| 博士倫舒視能每日拋棄式隱形眼鏡 | 愛爾蘭 |
CP(Circuit Probing or Chip Probing),未封裝IC：針對晶圓先做初步測試(O/S、Leakage等)，篩選出來的結果(INK或MAP標示)會送給封裝廠，以利取Good die進行封裝(又稱Wafer Sort)，功能測試大多在FT進行
FT(Final Test),已封裝IC：產品最終測試，這裡會加入更多的功能測試，進而對產品進行分Grade，測試後良品放入Tray、Tube、Reel等包材後，送到SMT廠進行上板
◎業界中CP可視情況不做，但FT一定要做～
CP不做的原因有：
1.產品單價低，CP會增加cycle time
2.Wafer製程有一定把握，CP只是從雞蛋裡挑骨頭
◎為何在FT進行功能測試
因為封裝後，晶片會因為封裝應力使得電性略有變化，CP Pass不見得在FT Pass，因此在CP做功能測試很少見...
O/S:open short
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大馬士革鑲嵌
鑲嵌(damascene)一詞，衍生自古代的Damascus（大馬士革）工匠之嵌刻技術，故亦稱為大馬士革鑲嵌技術。傳統的積體電路之多層金屬聯結(multilevel interconnection)是以金屬層的乾蝕刻方式來製作金屬導線，然後進行介電層的填充(dielectric gap fill)。而鑲嵌技術則是先在介電層上蝕刻金屬導線用的圖膜，然後再填充金屬。鑲嵌技術最主要的特點是不需要進行金屬層的蝕刻。當金屬導線的材料由鋁轉換成電阻率更低的銅的時候，由於銅的乾蝕刻較為困難，因此鑲嵌技術對銅製程來說便極為重要。
鑲嵌結構一般常見兩種：單鑲嵌結構(single damascene)以及雙鑲嵌結構(dual damascene)。
1.單鑲嵌結構如前所述，僅是把單層金屬導線的製作方式由傳統的（金屬層蝕刻+介電層填充）方式改為鑲嵌方式（介電層蝕刻+金屬填充），較為單純。
而雙鑲嵌結構則是將孔洞(hole)及金屬導線結合一起都用鑲嵌的方式來做。如此只需一道金屬填充的步驟，可簡化製程，不過製程也較為複雜與困難。一般完整的雙鑲嵌製程為，先沉積介電層並以干蝕刻完成雙鑲嵌結構之圖型后，接著需沉積一層擴散阻障層(diffusion barrier)，鋁製程一般是TiN，銅製程則為TaN。然後進行金屬沉積，鋁製程一般為PVD，銅製程則可能為PVD、CVD，或電鍍。最後，再進行CMP（化學機械研磨）即告完成。
2.雙鑲嵌結構若依乾蝕刻方式的不同來分類的話，目前大致上可分為Trench First、Via first及Self-Aligned等三種。
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