光阻塗敷之製程步驟如下：

1. 清洗晶圓

晶圓表面的粒子會在光阻上造成針孔(Pinholes)；有機和無機污染物都可能造成光阻的附著問題以及元件和電路的缺陷。因此為確保製程的良率，在進行微影製程之前先將污染物減至最低或完全去除是非常重要的。化學清洗是清洗晶圓的一種標準方法，它使用溶劑和酸液來分別清除有機和無機污染殘留物。清洗後通常會接著進行超純水(DI Water)洗滌步驟和旋乾(Spin Dry)步驟。

2. 預備處理過程

光阻的預備處理是一個兩階段的製程，它是在一個一般稱作預備處理反應室的密閉反應室內進行。 加熱製程又稱預烤(Prebake)或脫水烘烤(Dehydrate Bake) 此步驟是為了去除吸附在晶圓表面上的濕氣，對光阻在晶圓表面上的附著而言，一個乾淨且已脫水的晶圓表面是必須的。較差的附著力會導致光阻的圖案化失敗而且會在後續的蝕刻製程中造成底切(Undercut)。 底漆層塗佈(Priming) 此製程中，底漆層(Primer)在光阻塗佈之前就先塗佈於晶圓的表面上，這層薄膜層可以”弄溼”晶圓的表面且增進有機的光阻與無機的矽或是矽化合物晶圓表面之的附著力。

3. 光阻塗佈:

光阻塗佈是一個沉積製程，在沉積時一個薄的光阻層將被塗佈在晶圓的表面上。晶圓放置在一個帶有真空吸盤的轉軸上，這個吸盤在高速旋轉期間可以吸住晶圓。液態光阻會被鋪在晶圓的表面上，而晶圓旋轉時所形成的離心力會將液體散佈到整個晶圓上。當光阻內的溶劑蒸發後，晶圓就被一層光阻薄層覆蓋住。 在光阻自旋塗佈後，晶圓靠近邊緣的兩側會被光阻所覆蓋，因此必須採用邊緣球狀物移除法(EBR,Edge Bead Removal)來避免光阻在邊緣的堆積；因為在後續的蝕刻或是離子佈值製程中，機械式的晶圓處理機，像是機器人手指或是晶圓夾鉗，都會撕裂晶圓邊緣的光阻堆積物而造成微粒狀物質的污染。厚的邊緣小珠(Edge Bead)在晶圓邊緣區的曝光製程中會引起聚焦的問題。化學式與光學式的方法(WEE，Wafer Edge Exposure都可用來去除邊緣的小珠(Bead)。

私心覺得統聯客運應該學學國光假期方便大家去鹽水衝蜂炮

所以我就自己試圖掰一篇

• 搭配路線：【1629】 台北 → 學甲、苓子寮，搭到鹽水下客站下車，可以從台北轉運站、重陽站、中壢站、中港轉運站上車
• 行程建議：12:15從台北發車的[1629]大約會在下午四點鐘抵達鹽水站，建議先去吃鹽水意麵作為晚餐，再去月津港燈會走走，接著便是穿上戰袍，加入遶境隊伍開始衝蜂炮了，蜂炮會施放到很晚，想何時結束端看客官體力及意願，結束後可能沒有公車可以搭，需仰賴計程車或者等到早班公車離開鹽水。
• 費用：1629票價$170~$460，視搭乘區間及時段而定，離開鹽水的車資需另行計算了

1. 元宵節人潮眾多，公車無法進入蜂炮施放區，需至鹽水忠孝南門路口搭車，最晚的公車是在2/12 00:30開往新營，清晨最早的一班車則是6:30的棕幹線
2. 若想搭高鐵的話，可以搭7:15的[166]高鐵嘉義站-鹽水離開

CP(Circuit Probing or Chip Probing),未封裝IC：針對晶圓先做初步測試(O/S、Leakage等)，篩選出來的結果(INK或MAP標示)會送給封裝廠，以利取Good die進行封裝(又稱Wafer Sort)，功能測試大多在FT進行 

FT(Final Test),已封裝IC：產品最終測試，這裡會加入更多的功能測試，進而對產品進行分Grade，測試後良品放入Tray、Tube、Reel等包材後，送到SMT廠進行上板 

◎業界中CP可視情況不做，但FT一定要做～ 
CP不做的原因有： 
1.產品單價低，CP會增加cycle time 
2.Wafer製程有一定把握，CP只是從雞蛋裡挑骨頭 

◎為何在FT進行功能測試 
因為封裝後，晶片會因為封裝應力使得電性略有變化，CP Pass不見得在FT Pass，因此在CP做功能測試很少見...

O/S:open short

copy from http://archive.eettaiwan.com/forum.eettaiwan.com/FORUM_POST_1000039212_1200099600_0.HTM

CNet USB無線網路卡 型號:WNUD1150 台灣製 USB無線網卡 支援:桌機/筆電 需驅動程式方可用

大馬士革鑲嵌

　　鑲嵌(damascene)一詞，衍生自古代的Damascus（大馬士革）工匠之嵌刻技術，故亦稱為大馬士革鑲嵌技術。傳統的積體電路之多層金屬聯結(multilevel interconnection)是以金屬層的乾蝕刻方式來製作金屬導線，然後進行介電層的填充(dielectric gap fill)。而鑲嵌技術則是先在介電層上蝕刻金屬導線用的圖膜，然後再填充金屬。鑲嵌技術最主要的特點是不需要進行金屬層的蝕刻。當金屬導線的材料由鋁轉換成電阻率更低的銅的時候，由於銅的乾蝕刻較為困難，因此鑲嵌技術對銅製程來說便極為重要。

鑲嵌結構一般常見兩種：單鑲嵌結構(single damascene)以及雙鑲嵌結構(dual damascene)。

1.單鑲嵌結構如前所述，僅是把單層金屬導線的製作方式由傳統的（金屬層蝕刻+介電層填充）方式改為鑲嵌方式（介電層蝕刻+金屬填充），較為單純。

而雙鑲嵌結構則是將孔洞(hole)及金屬導線結合一起都用鑲嵌的方式來做。如此只需一道金屬填充的步驟，可簡化製程，不過製程也較為複雜與困難。一般完整的雙鑲嵌製程為，先沉積介電層並以干蝕刻完成雙鑲嵌結構之圖型后，接著需沉積一層擴散阻障層(diffusion barrier)，鋁製程一般是TiN，銅製程則為TaN。然後進行金屬沉積，鋁製程一般為PVD，銅製程則可能為PVD、CVD，或電鍍。最後，再進行CMP（化學機械研磨）即告完成。

2.雙鑲嵌結構若依乾蝕刻方式的不同來分類的話，目前大致上可分為Trench First、Via first及Self-Aligned等三種。

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