oxide diffusion

定義STI(Shallow Trench Isolation)區

顧名思義就是在CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)上挖一條溝渠來做隔離，那是隔離什麼呢? 因為在CMOS上會有P+與N+結合起來的depletion region(空乏區)，當P+跟N+的面積太大時，depletion region也會跟著變大，會造成chip size依舊很大，為了解決這樣的問題，在近幾年先進製程下，STI的作法就可以解決中間的depletion region過大的問題。

arrow
arrow
    全站熱搜
    創作者介紹
    創作者 kodakku 的頭像
    kodakku

    kodakku's Blog

    kodakku 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

    E-mail轉寄