為了不毛躁
選定有SGS認證的負離子吹風機
還要挑台灣製造
現場實際試完
刷卡$1200
https://www.hair1314.com/electrical?product_id=1417
髮の奇緣 N99 高能量奈米負離子吹風機
產地台灣
目前分類：未分類文章 (603)
- Mar 12 Sat 2022 21:28
N99 高能量奈米負離子吹風機
- Mar 12 Sat 2022 11:54
基礎體溫計
我選東西喜歡產地在台灣的，希望能讓產業留在台灣
我的功力找到在台灣製造的基礎體溫計都來自於同一個工廠
品牌名稱有【Health & Beauty】、優生、Geonic北群
我自己是比較喜歡機械式開關
而非可彎式塑膠外觀(這種用久了開關按壓處的塑膠會脫皮變很難按)
- Jan 16 Sun 2022 10:29
「閩東」「閩北」傻傻分不清
- Jan 09 Sun 2022 16:48
葉酸
人生製藥 渡邊維他命B9葉酸膜衣錠 產地:台灣 2021/4/18 愛買新竹 120粒 $235 可以吃60天,2021/10/16 $235
澳佳寶葉酸 產地:澳大利亞 2022/1/8 costco新竹 180粒*2瓶 $815 可以吃360天
- Jan 08 Sat 2022 08:55
台鐵會員點數
- 實際搭車後匯入累積點數
- 點數可在下次網頁購票時折抵
- Dec 30 Thu 2021 23:06
渣打銀行信用卡剪卡攻略!
4058-0088→消費簡訊、信用卡其他服務及相關文件索取請按96→消費簡訊及信用卡其他服務69→身分證後9碼→聽權益→完成
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- Nov 28 Sun 2021 16:33
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- Nov 16 Tue 2021 22:15
Songwin 磁吸式重低音耳機麥克風(PH-S880) 白色 反推
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[M0720] 森林系氣質小花雪紡上衣
- Oct 31 Sun 2021 23:56
健康與美麗體溫計
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- Oct 22 Fri 2021 17:31
小孩花費
健康與美麗基礎溫度計 產地:台灣 2021/10/31 愛買新竹 $139
驗孕筆 ~$120 可以驗一次
人生製藥 渡邊維他命B9葉酸膜衣錠 2021/4/18 愛買新竹 120粒 $235 可以吃60天,2021/10/16 $235
- Oct 17 Sun 2021 23:03
保潔墊
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- Oct 17 Sun 2021 21:17
雷射測距儀
- Oct 13 Wed 2021 22:22
6T SRAM的運作原理
如下圖，電晶體 M1 及 M2 構成一個 inverter，M3 及 M4 構成另外一個 inverter。 這兩個 inverter 的 output 分別接到另外一個 inverter 的 input 而形成一個 latch，可以將資料鎖住。 當 Q 為 0 時，Qbar (上面一橫打不出來) 則為 1；反之 Q 為 1 時，Qbar 為 0。如此便構成了一個雙穩態電路，可以用來儲存 0 與 1。Q 和 Qbar 的寄生電容就是資料儲存的地方。 下圖剩下的兩個電晶體 M5 及 M6 功用是開關，最常見的架構和用法就如下圖所示，M5 和 M6 是一起開或關的。 連接到 M5 和 M6 的 gate 的訊號一般稱之為 word line (縮寫成 WL)，是用來控制 SRAM bit-cell 開關的訊號。 當 WL 為 1 時，SRAM bit-cell 則可以讀或寫。 M5 及 M6 的 drain 端是資料讀出貨寫入的埠，一般稱之為 bit line (縮寫成 BL)。如下圖所示，M6 接到BL，相對地，M5 那邊則標成 BLbar 。 如果要將資料寫入，則要將 BL 及 BLbar 固定在一組固定的電壓，強迫 bit-cell 內儲存資料內的節點 Q 及 Qbar 轉態。如果要寫入 1 則 BL 電壓為 VDD，BLbar 電壓為 0；反之要寫入 0 則 BL 電壓為 0，BLbar 電壓為 VDD。 例如，當 bit-cell 內儲存的內容為 1 而要寫入 0。即 Q 的電壓為 VDD 時，Qbar 為 0。此時將 WL 電壓提升至 VDD 且 BL 為 0，BLbar 為 VDD，那麼 Q 就會透過 M6 被拉下來，Qbar 透過 M5 會被往上拉，再藉由 M1, M2, M3, M4 構成的兩個 inverter 推一下，則會轉態進入另一個穩態，即 Q 為 0 且 Qbar 為 VDD，寫入 0 的動作完成。 至於讀出資料時，一樣要將 word line 打開，也就是 WL 也是要拉到 VDD。和 "寫" 不同的只是 BL 和 BLbar 的狀態。將 word line 打開前要先將 BL 和 BLbar 的電壓拉到等電位，也就是 V(BL)==V(BLbar)，這個電壓通常稱之為 pre-charge voltage，一般多為 VDD 或 (VDD - VT)。 當 BL 及 BLbar 兩端電位相等之後可以將之浮接 (floating) 或是透過一阻抗接至 pre-charge voltage 電壓源，然後才可以將 word line 打開，利用 Q 及 Qbar 的寄生電容透過 M6 及 M5 與 BL 及 BLbar 產生 charge sharing 及分壓的效果而讓 BL 及 BLbar 產生電位差，最後外部的 sense amplifier 可將訊號差異放大而讀出 0 或 1。 簡言之，6T-SRAM 的讀或寫都要打開 word line。寫的動作是利用外部電壓源強力改變 bit-cell 的內容。(由外影響內) 讀的動作則是將外部 BL 及 BLbar 平衡然後讓 bit-cell 的內容去影響 BL 和 BLbar。(由內影響外) 因為 bit-cell 的力量很小，BL 及 BLbar 的差異還要靠 sense amplifier 來放大。 在 VLSI 眾多領域中 SRAM 是一門獨立大學問，只是一個 6T-SRAM bit-cell 就有讀不完的論文，這實在不是知識+ 一個問題的問與答就可以說清楚的。 1. YES, bit-cell 儲存值就是指 Q 的值。 2. YES, BL 下降而 BLbar 不下降為 0，反之 BLbar 下降而 BL 不降則為 1。Sense amplifier 是用來放大 BL 跟 BLbar 的差異，然後才可以啟動後級的電路將訊號輸出。
- Oct 08 Fri 2021 23:35
近視配鏡
- 角膜塑型鏡片
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- 蔡司,zeiss
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- Sep 11 Sat 2021 21:53
給廣告帽子新生命
廣告帽太氾濫了
最出名的應該是跑去陪跑馬拉松那頂宮廟帽吧
因此想說不要再多花錢買新帽子
但又不想拿出去打廣告
救起心動念要把廣告內容/logo遮住
就想到了燙布貼/繡布貼(wappen)啦
首次購買也不知道要上哪買
孕產期 (2)
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